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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.8
- 수록면
- 49 - 55 (7page)
- DOI
- 10.5573/ieie.2021.58.8.49
이용수
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Super-junction metal-oxide-semiconductor field effect transistor(SJ-MOSFET)에 대한 방사 효과로 인한 displacement defect 의 영향을 TCAD (Technology Computer Aided Design) 시뮬레이션을 기반으로 연구하였다. E<SUB>C</SUB>-0.4eV수준의 Acceptor-like trap 은 E<SUB>C</SUB>-0.2eV의 Acceptor-like trap 및 E<SUB>V</SUB>+0.2eV의 Acceptor-like trap 에 비해 가장 심각한 열화현상을 보인다. displacement defect의 가장 심각한 열화현상이 나타나는 위치는 N-pillar의 중심인데, 이는 N-pillar의 중심이 주 전류 경로이기 때문이다. N-pillar의 중심에서 깊은 레벨 (E<SUB>C</SUB>-0.4eV)의 Acceptor-like trap의 displacement defect은 Id-Vg 특성의 최악의 열화현상을 유발한다. 항복 전압 특성의 경우 충격 이온화에 의해 수많은 전자-정공 쌍이 생성되기 때문에 트랩은 무시할 수 있는 수준이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 시뮬레이션 결과 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (15)
참고문헌 신청
T. Fujihira, “Theory of semiconductor superjunction devices,”Jpn. J. Appl. Phys., vol. 36, no. 10, pp. 6254–6262, Oct. 1997.
F. Udrea, G. Deboy and T. Fujihira, "SuperjunctioDevices, vol. 64, no. 3, pp. 713-727, March 2017.
H. Kang and F. Udn Power Devices, History, Development, and Future Prospects," in IEEE Transactions on Electron rea, "Theory of 3-D Superjunction MOSFET," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 12, pp. 5254-5259, Dec. 2019.
H. Kang and F. Udrea, "Analytic Model of Specific ON-State Resistance for Superjunction MOSFETs With an Oxide Pillar," in IEEE Electron Device Letters, vol. 40, no. 5, pp. 761-764, May 2019.
H. Kang and F. Udrea, "Material Limit of Power Devices—Applied to Asymmetric 2-D Superjunction MOSFET," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 65, no. 8, pp. 3326-3332, Aug. 2018.
F. Udrea, G. Deboy and T. Fujihira, "SuperjunctioDevices, vol. 64, no. 3, pp. 713-727, March 2017.
H. Kang and F. Udn Power Devices, History, Development, and Future Prospects," in IEEE Transactions on Electron rea, "Theory of 3-D Superjunction MOSFET," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 12, pp. 5254-5259, Dec. 2019.
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H. Kang and F. Udrea, "Material Limit of Power Devices—Applied to Asymmetric 2-D Superjunction MOSFET," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 65, no. 8, pp. 3326-3332, Aug. 2018.
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