NOR Flash를 위한 하프늄 옥사이드 기반 비휘발성 메모리 소자에서의 사파이어 기판을 통한 Self-heating Effect 및 Retention 개선

송영서; 김현우

doi:10.5573/ieie.2020.57.9.29

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자료유형: 학술저널

저자정보: 송영서 (서울대학교) 김현우

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제57권 제9호(통권 제514호)

발행연도: 2020.9

수록면: 29 - 34 (6page)

DOI: 10.5573/ieie.2020.57.9.29

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본 논문에서는 NOR Flash를 위한 하프늄 옥사이드(Hafnium oxide, HfO₂) 기반 비휘발성 메모리 소자를 설계하는데 있어, 기존의 SOI(Silicon On Insulator) 기반 TAHOS(TaN/Al₂O₃/HfO₂/SiO₂/Si) 구조를 대체할 SOS(Silicon On Sapphire) 기반 TAHOS 구조를 제안하였다. 사파이어(Sapphire, Al₂O₃) 물질의 뛰어난 열전도도(Thermal conductivity)를 활용하여, TAHOS 구조가 최근 겪어온 자기가열효과(Self-heating Effect)와 보존성(Retention) 문제를 개선하고자 하였다. SOS 기반 TAHOS 소자의 경우 사파이어 물질이 효과적으로 열 방출구(Heat sink)로 작용하여 self-heating effect 문제가 개선이 되며, 이는 전하트랩층 전자가 열에너지를 얻는 것을 억제하여 Retention 또한 개선되는 것을 알 수 있었다.

#노어 플래시 #자기가열효과 #보존성 #하프늄 옥사이드 #비휘발성 메모리

참고문헌 (24)

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S. Madden / 2012 / From Databases to Big Data / IEEE Internet Computing 16(3):4~6

송영서 / 2020 / 역전파 알고리즘을 이용한 대한민국 국민연금 고갈 시기 예측 연구 / 전자공학회논문지 57(7):37~44

A. Gupta / 2015 / A Survey of 5G Network : Architecture and Emerging Technologies / IEEE Access 3:1206~1232

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