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저자정보
Fucheng Wang (성균관대) 산얄 심피 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) 최지원 (성균관대학교) 조재웅 (성) Yifan Hu (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) Xinyi Fan (Interdisciplinary Program in Photovoltaic System Engineering Sungkyunkwan University) Suresh Kumar Dhungel (성균관대학교) 이준신 (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제36권 제3호
발행연도
2023.5
수록면
226 - 232 (7page)

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As a potential alternative to flash memory, HfO2/Al2O3 stacks appear to be a viable option as charge capture layers in charge trapping memories. The paper undertakes a review of HfO2/Al2O3 stacks as charge trapping layers, with a focus on comparing the number, thickness, and post-deposition heat treatment and γ-ray and white x-ray treatment of such stacks. Compared to a single HfO2 layer, the memory window of the 5-layered stack increased by 152.4% after O2 annealing at ±12 V. The memory window enlarged with the increase in number of layers in the stack and the increase in the Al/Hf content in the stack. Furthermore, our comparison of the treatment of HfO2/Al2O3 stacks with varying annealing temperatures revealed that an increased annealing temperature resulted in a wider storage window. The samples treated with O2 and subjected to various γ radiation intensities displayed superior resistance. and the memory window increased to 12.6 V at ±16 V for 100 kGy radiation intensity compared to the untreated samples. It has also been established that increasing doses of white x-rays induced a greater number of deep defects. The optimization of stacking layers along with post-deposition treatment condition can play significant role in extending the memory window.
#Charge trapping layer #Stacks #High-k material #Non-volatile memory #Memory window

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