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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 39 - 43 (5page)
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A novel organic material named 'collodion' was suggested as a gate insulator for amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors (a-IGZO TFTs). To find the optimized condition of the collodion gate insulator (CGI), thefollowing three parameters of collodion solution were controlled: (1) the concentration of collodion solution; (2) the number of stacked layers; and (3) the spin-coating speed. The single-layered diluted CGI (collodion:ethanol = 1:1) that was fabricated with a 3 krpm spin-coating speed exhibited an acceptable dielectric strength (J < $10^{-10}A/cm^2$ in the range of 1.1 MV/cm) and a high-dielectric constant (~6.57) for the gate insulator layer. As a result, a-IGZO TFTs with CGI showed high-field effect mobility (${\sim}17.11cm^2/Vs$).
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