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자료유형
학술저널
저자정보
Zhao, H. (Department of Mechanical Science and Engineering, Beckman Institute for Advanced Science and Technology, University of Illinois at Urbana-Champaign) Aluru, N.R. (Department of Mechanical Science and Engineering, Beckman Institute for Advanced Science and Technology, University of Illinois at Urbana-Champaign)
저널정보
테크노프레스 Interaction and multiscale mechanics Interaction and multiscale mechanics 제1권 제2호
발행연도
2008.1
수록면
303 - 315 (13page)

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In this paper, thermodynamical properties of crystalline silicon under strain are calculated using classical molecular dynamics (MD) simulations based on the Tersoff interatomic potential. The Helmholtz free energy of the silicon crystal under strain is calculated by using the ensemble method developed by Frenkel and Ladd (1984). To account for quantum corrections under strain in the classical MD simulations, we propose an approach where the quantum corrections to the internal energy and the Helmholtz free energy are obtained by using the corresponding energy deviation between the classical and quantum harmonic oscillators. We calculate the variation of thermodynamic properties with temperature and strain and compare them with results obtained by using the quasi-harmonic model in the reciprocal space.
#modeling of materials #silicon #finite temperature #thermodynamical properties #strain effects #Molecular Dynamics #Tersoff potential

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