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학술저널
저자정보
장원재 (LG전자)
저널정보
한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 한국정보기술학회논문지 제15권 제11호(JKIIT, Vol.15, No.11)
발행연도
2017.11
수록면
155 - 163 (9page)
DOI
10.14801/jkiit.2017.15.11.155

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박막의 변형률은 소자의 전기적인 특성에 영향을 미치기 때문에 변형률을 정확히 측정하고 분석하는 것이 매우 중요하다. 따라서 최근에는 투과전자현미경 이미지에서 격자들의 변형률을 분석할 수 있는 GPA (Geometric Phase Analysis)방법이 개발되었다. 본 논문에서는 GPA방법에서 디지털이미지프로세싱을 보강하기 위해서 Matlab기반의 GPA방법을 제안하고, Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>/Si 이종접합구조의 HAADF이미지에 적용한 변형률 분석결과를 보여준다. Si<SUB>0.55</SUB>Ge<SUB>0.45</SUB>/Si 박막의 격자들의 변형률은 박막의 계면 방향으로는 Si0.55Ge0.45와 Si격자들의 변형률에 차이가 없으며 박막의 수직방향으로 격자들의 변형률이 Si<SUB>0.55</SUB>Ge<SUB>0.45</SUB> 대비 Si에서–2.3%±0.2%로 측정이 되었다. 다시 말하면, Si0.55Ge0.45위에 증착된 Si은 인장응력(Tensile Strained)박막이며 정방변형(Tetragonal Distortion) 되었다고 볼 수 있다. 측정값과 이론값 (-3.15%)에서 차이를 보이는 가능한 원인으로써 푸리에 변환을 이용한 디지털이미지프로세싱에 의한 오류와 전자현미경 샘플제작에 대한 오류에 대한 가능성에대해 논의하였다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 측정 방법
Ⅲ. 결과
Ⅳ. 결론 및 향후 과제
Ⅴ. 유첨
References

참고문헌 (13)

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