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자료유형
학술저널
저자정보
Noh, Kyung-Min (Department of Materials Science and Engineering, Korea University) Kim, Eun-Kyung (Department of Nano/IT Engineering, Seoul National University of Technology) Lee, Yong-Keun (Department of Nano/IT Engineering, Seoul National University of Technology) Sung, Yun-Mo (Department of Materials Science and Engineering, Korea University)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제19권 제3호
발행연도
2009.1
수록면
174 - 178 (5page)

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The effects of post-CMP cleaning on the chemical and galvanic corrosion of copper (Cu) and titanium (Ti) were studied in patterned silicon (Si) wafers. First, variation of the corrosion rate was investigated as a function of the concentration of citric acid that was included in both the CMP slurry and the post-CMP solution. The open circuit potential (OCP) of Cu decreased as the citric acid concentration increased. In contrast with Cu, the OCP of titanium (Ti) increased as this concentration increased. The gap in the OCP between Cu and Ti increased as citric acid concentration increased, which increased the galvanic corrosion rate between Cu and Ti. The corrosion rates of Cu showed a linear relationship with the concentrations of citric acid. Second, the effect of Triton X-$100^{(R)}$, a nonionic surfactant, in a post-CMP solution on the electrochemical characteristics of the specimens was also investigated. The OCP of Cu decreased as the surfactant concentration increased. In contrast with Cu, the OCP of Ti increased greatly as this concentration increased. Given that Triton X-$100^{(R)}$ changes its micelle structure according to its concentration in the solution, the corrosion rate of each concentration was tested.
#post-CMP cleaning #organic acid surfactant chemical corrosion galvanic corrosion

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