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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第47卷 SD編 第2號
발행연도
2010.2
수록면
15 - 20 (6page)

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본 연구에서는 RF magnetron sputtering 법으로 기판온도 200 ℃ 에서 공정 압력 (5∼20 mTorr)과 산소 가스비 (0∼3 %) 를 변화시켜가며 PES 플라스틱 기판 위에 AZO (Al : 3 wt%) 박막을 제작하여 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 공정 조건에 관계없이 모든 AZO 박막이 c 축으로 우선 성장함을 확인할 수 있었다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, 표면 거칠기 값은 공정압력 5 mTorr, 산소 가스비 3 % 에서 제작한 박막에서 가장 낮은 값 (3.49 ㎚) 을 나타내었다. 모든 AZO 박막이 가시광 영역에서 80 % 정도의 투과율을 보였으며, 공정 압력과 산소 가스비가 감소할수록 에너지 밴드갭이 증가하는 Burstein-Moss 효과를 관찰할 수 있었다. Hall 측정 결과, 공정 압력 5 mTorr와 산소 가스비 0 %에서 제작한 AZO 박막에서 가장 높은 캐리어 농도 2.63 × 10<SUP>20</SUP> ㎝<SUP>-3</SUP> 값과 가장 낮은 비저항 4.35 × 10<SUP>-3</SUP> Ω㎝ 값을 나타내었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
참고문헌
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