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논문 기본 정보

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저자정보
신동식 (한국기계연구원 광응용생산기계연구실) 서정 (한국기계연구원 광응용생산기계연구실) 김정오 (한국기계연구원 광응용생산기계연구실)
저널정보
한국레이저가공학회 한국레이저가공학회지 한국레이저가공학회지 제13권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
7 - 13 (7page)

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Today, the most common process for generating Through Silicon Vias (TSVs) for 3D ICs is Deep Reactive Ion Etching (DRIE), which allows for high aspect ratio blind holes with low surface roughness. However, the DRIE process requires a vacuum environment and the use of expensive masks. The advantage of using lasers for TSV drilling is the higher flexibility they allow during manufacturing, because neither vacuum nor lithography or masks arc required and because lasers can be applied even to metal and to dielectric layers other than silicon. However, conventional nanosecond lasers have the disadvantage of causing heat affection around the target area. By contrast, the use of a picosecond laser enables the precise generation of TSVs with less heat affected zone. In this study, we conducted a comparison of thermalization effects around laser-drilled holes when using a picosecond laser set for a high pulse energy range and a low pulse energy range. Notably, the low pulse energy picosecond laser process reduced the experimentally recast layer, surface debris and melts around the hole better than the high pulse energy process.

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