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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
송영환 (울산대학교 첨단소재공학부) 문현주 (울산대학교 첨단소재공학부) 김대일 (울산대학교 첨단소재공학부)
저널정보
한국열처리공학회 열처리공학회지 열처리공학회지 제29권 제3호
발행연도
2016.1
수록면
109 - 112 (4page)

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We have considered the influence of electron irradiation on the optical and electrical properties of $SnO_2$ thin films deposited with reactive RF magnetron sputtering. After deposition, the films electron irradiated at 300 eV shows a lower sheet resistance of $277{\Omega}/{\square}$ and the optical transmittance in a visible wave length region also influenced with the electron irradiation energy. The film that electron irradiated at 400 eV shows a higher optical transmittance of 82.6% in this study. By comparison of figure of merit, it is concluded that the post-deposition electron irradiation at 300 eV is the optimum condition for the enhancement of opto-electrcal performance of $SnO_2$ thin film in this study.
#$SnO_2$ #Thin film #Magentron sputtering #Electron irradiation #Figure of merit

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