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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 357 - 362 (6page)
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A ternary InAsyP1−y alloy is suitable for an application to near-infrared (NIR) optical devices as their direct bandgap energycovers the entire NIR band. A nanowire (NW) system allows an epitaxial integration of InAsyP1−y alloy on any type ofsubstrate since the lattice mismatch strain can be relieved through the NW sidewall. Nevertheless, the very large surface tovolume ratio feature of the NWs leads to enormous surface states which are susceptible to surface recombination of freecarriers. Here, ternary InAs0.75P0.25NWs are grown with InP passivation layer (i.e., core–shell structure) to minimize theinfluence of the surface states, thus increasing their optical and electrical properties. A photoresponse study was achievedthrough the modeled band structure of the grown NWs. The model and experimental results suggest that 5-nm-thick InPshell efficiently passivates the surface states of the InAs0.75P0.25NWs. The fabricated core–shell photodetectors and fieldeffecttransistors exhibit improved photoresponse and transport properties compared to its counterpart core-only structure.
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