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학술저널
저자정보
송준용 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 정대영 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 김찬석 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 박상현 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 조준식 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 송진수 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 왕진석 (충남대학교 전자전파정보통신과) 이정철 (한국에너지기술연구원 태양광연구단)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제20권 제4호
발행연도
2010.1
수록면
210 - 216 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2013

50 ㎛ 기판을 이용한 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 제조 및 특성 분석
송준용 ,  최장훈 ,  정대영 외 3명 한국재료학회지 2013.01 학술저널

2010

기판 세정특성에 따른 표면 패시배이션 및 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 특성변화 분석
송준용 ,  정대영 ,  김찬석 외 5명 한국재료학회지 2010.01 학술저널

2009

실리콘 기판 습식 세정에 따른 a-Si:H/c-Si 계면 및 이종접합 태양전지 특성 분석
송준용 ,  정대영 ,  김찬석 외 7명 한국신·재생에너지학회 학술대회 초록집 2009.06 학술대회자료

초록· 키워드

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This paper investigates the dependence of a-Si:H/c-Si passivation and heterojunction solar cell performances on various cleaning processes of silicon wafers. It is observed that the passivation quality of a-Si:H thin-films on c-Si wafers depends highly on the initial H-termination properties of the wafer surface. The effective minority carrier lifetime (MCLT) of highly H-terminated wafer is beneficial for obtaining high quality passivation of a-Si:H/c-Si. The wafers passivated by p(n)-doped a-Si:H layers have low MCLT regardless of the initial H-termination quality. On the other hand, the MCLT of wafers incorporating intrinsic (i) a-Si:H as a passivation layer shows sensitive variation with initial cleaning and H-termination schemes. By applying the improved cleaning processes, we can obtain an MCLT of $100{\mu}sec$ after H-termination and above $600{\mu}sec$ after i a-Si:H thin film deposition. By adapting improved cleaning processes and by improving passivation and doped layers, we can fabricate a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells with an active area conversion efficiency of 18.42%, which cells have an open circuit voltage of 0.670V, short circuit current of $37.31\;mA/cm^2$ and fill factor of 0.7374. These cells show more than 20% pseudo efficiency measured by Suns-$V_{oc}$ with an elimination of series resistance.
#solar cells #heterojunction #a-Si:H #H-termination #passivation

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