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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.2 No.5
- 발행연도
- 1997.10
- 수록면
- 65 - 71 (7page)
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We present heterojunction solar cells with a structure of metal/a-Si:H (n-i-p)/poly-Si (n-p)/metal for the terrestrial applications. This cell consists of two component cells: a top n-i-p junction a-Si:H cell with wide-bandgap 1.8eV and a bottom n-p junction poly-Si cell with narrow-bandgap 1.1eV. The efficiency influencing factors of the solar cell were investigated in terms of simulation and experiment. Three main topics of the investigated study were the bottom cell with n-p junction poly-Si, the top a-Si:H cell with n-i-p junction, and the interface layer effects of heterojunction cell. The efficiency of bottom cell was improved with a pretreatment temperature of 900℃, surface polishing, emitter thickness of 0.43㎛, top Yb metal, and grid finger shading of 7% coverage. The process optimized cell showed a conversion efficiency about 16%. Top cell was grown by using a photo-CVD system which gave an ion damage free and good p/i-a-Si:H layer interface. The heterojunction interface effect was examined with three different surface states; a chemical passivation, thermal oxide passivation, and Yb metal. The oxide passivated cell exhibited the higher photocurrent generation and better spectral response.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experimental
Ⅲ. Result and Discussions
Ⅳ. Conclusions
References
저자소개
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