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저자정보
Jeong, Eui-Hyuck (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Ajou University) Seo, Hyun-Seok (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Ajou University) Seo, O-Gweon (NFC, Samsung Advanced Institute of Technology) Choi, Yearn-Ik (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Ajou University) Jo, Jung-Yol (Dept. of Electrical and Computer Engineering, Ajou University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
발행연도
2006.1
수록면
707 - 710 (4page)

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Zinc oxide (ZnO) is typically highly doped n-type semiconductor. To be used for thin-film transistor (TFT) devices, carrier concentration must be controlled precisely. We studied characteristics of ZnO grown by MOCVD at temperatures between $200^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$. We found that hydrogen incorporated during growth plays important role in determining carrier density.

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