Development of a Low Temperature Doping Technique for Application in Poly-Si TFT on Plastic Substrates

Hong, Wan-Shick; Kim, Jong-Man

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Hong, Wan-Shick (Dept. of Electronics Engineering, Sejong University) Kim, Jong-Man (Dept. of Electronics Engineering, Sejong University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display

발행연도: 2003.1

수록면: 1,131 - 1,134 (4page)

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2005

Low Temperature Processes of Poly-Si TFT Backplane for Flexible AM-OLEDs

Hong , Wan-Shick , Lee 외 13명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2005.01 학술대회자료

2003

Development of a Low Temperature Doping Technique for Applications in Poly-Si TFT on Plastic Substrates

Hong , Wan-Shick , Kim 외 1명 Journal of information display 2003.01 학술저널

Development of a Low Temperature Doping Technique for Application in Poly-Si TFT on Plastic Substrates

Hong , Wan-Shick , Kim 외 1명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2003.01 학술대회자료

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A low temperature doping technique has been studied for application in poly-Si TFT's on plastic substrates. Heavily-doped amorphous silicon layers were deposited on poly-Si and the dopant atoms were driven in by subsequent excimer laser annealing. The entire process was carried out under a substrate temperature of $120^{\circ}C$, and a sheet resistance as low as $300 {\Omega}/sq$. was obtained.

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이 논문의 저자 정보

Hong, Wan-Shick

소속기관 Department of Nano Science and Technology, University of Seoul

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 11 이용수 2

Kim, Jong-Man

소속기관 Dept. of Electronics Engineering, Sejong University

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 10 이용수 1

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