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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김홍승 (한국과학기술원 전자재료공학과) 이정용 (한국과학기술원 전자재료공학과) 이승창 (한국 전자통신연구소 반도체 연구단) 강상원 (한국 전자통신연구소 반도체 연구단)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제4권 제4호
발행연도
1994.1
수록면
416 - 427 (12page)

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이 논문의 연구 히스토리 (7)

2005

Si(111) 기판 위에 증착된 ZnO 박막의 열처리 분위기에 따른구조적, 광학적 특성 연구
김홍승 ,  정은수 ,  이주영 외 1명 전기전자재료학회논문지 2005.01 학술저널

1997

비정질 Si1-XGeX의 고상결정화에 따른 결함 형성과 결정 성장 기구 ( Defect Formation and Crystal Growth Mechanism on the Solid Phase Crystallization of Amorphous Si1-xGex Thin Films )
김홍승 ,  이정용 한국통신학회 학술대회논문집 1997.01 학술대회자료
비정질 Si1-xGex의 고상결정화에 따른 결함 형성과 결정 성장 기구 ( Defect Formation and Crystal Growth Mechanism on the Solid Phase Crystallization of Amorphous Si1-xGex Thin Films )
김홍승 ,  이정용 한국통신학회 공개발표회 및 토론회 1997.01 학술대회자료

1996

SiO2 위에 증착한 비정질 Si / Si1-xGex / Si 박막의 고상결정화시의 성장거동 및 미세구조에 관한 연구
김홍승 ,  이정용 ,  김진혁 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1996.01 학술대회자료

1995

a-Si / a-Si1-xGex 박막의 고상 결정화 온도에 따른 성장거동 및 미세구조에 관한 연구
김홍승 ,  이정용 ,  송윤호 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1995.01 학술대회자료

1994

$SiO_2$위에 증착된 $Si_{1-X}Ge_X$합금의 증착온도 변화에 따른 결정성 및 미세구조에 관한 연구
김홍승 ,  이정용 ,  이승창 외 1명 한국재료학회지 1994.01 학술저널

1993

Si-MBE로 중착시킨 다결정 SiGe의 $SiO_2$ 위에서의 성장거동및 미세구조
김홍승 ,  이정용 ,  이승창 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1993.01 학술대회자료

초록· 키워드

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비정질 $SiO_{2}$위에서 증착시킨 $Si_{1-x}Ge_x$합금의 증착온도에 따른 결정성, 미세구조와 조성의 균일성을 X선 회절법과 투과 전자현미겨으로 조사하였고, $Si_{1-x}Ge_x/Sio_2$계면을 고분해능 투과 전자현미경을 이용하여 원자단위로 관찰하였다. Ge의 몰분율을 0.3으로 놓고 증착온도를 $300^{\circ}C,400^{\circ}C,500^{\circ}C,600^{\circ}C,700^{\circ}C$로 변화시키며 Si-MBE로 증착된 박막은 , 분석 결과 $300^{\circ}C$에서는 비정질상만이 존재하였고 $400^{\circ}C$에서는 결정상과 비정질상이 공존하고 있었다. 두상은 $SiO_2$위에 함께 증착되었으나 초기 성장에서는 비정질상이 주로 성장되었으며 박막의 두께가 비정질층이 관찰되었다. $600^{\circ}C$이상에서는 결정상으로만 증착되었다. 증착된 다결정상은 주상성장을 하였다. 증착된 박막의 조성은 중착온도에 관계없이 균일하였으며, $Si_{1-x}Ge_x/Sio_2$계면은 다결정상이나 비정질상에 관계없이 평탄하였다.

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