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학술저널
저자정보
최경근 (현대전자 반도체 연구소) 이청 (삼성전자 반도체 연구소) 이시우 (포항공과대학 화학공학과 재료공정 연구실) 이건홍 (포항공과대학 화학공학과 재료공정 연구실)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제2권 제1호
발행연도
1992.1
수록면
19 - 26 (8page)

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$WF_6$와 $SiH_4$의 화학반옹으로부터 산화규소막 위에 텅스텐 핵이 형성되는 현상을 실험을 통해 관찰하였다. 핵이 생성되는 속도는 반응온도가 높고 운반기체의 유량이 적으며 반응기내의 압력이 높을수록 큰 것으로 나타났다. 또한 반응기체가 흘러가는 방향에서 아랫쪽으로 위치하는 표면에 핵이 생성되는 속도가 큰 것으로 나타났다. 산화막위에 생성된 텅스텐 핵의 형상과 파단면을 주사현미경으로 관찰하였으며 산화막위에 형성된 텅스텐 박막의 화학적 조성을 밝혀내었다.

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