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이 논문의 연구 히스토리 (4)
1992
CHF₃ / C₂F6 반응성이온 건식식각에 의해 형성되는 실리콘 표면변형의 회복에 관한 연구 (Ⅱ)
박형호
,
권광호
,
곽병화
외 4명
한국진공학회 학술발표회초록집
1992.02
학술대회자료
CHF₃ / C₂F6 반응성이온 건식식각에 의해 형성되는 실리콘 표면의 잔류층 및 손상층에 관한 연구 (Ⅰ)
박형호
,
권광호
,
곽병화
외 4명
한국진공학회 학술발표회초록집
1992.02
학술대회자료
$CHF_3/C_2F_6$ 반응성이온 건식식각에 의해 변형된 실리콘 표면의 열적 거동에 관한 연구
박형호
,
권광호
,
곽병화
외 5명
한국재료학회지
1992.01
학술저널
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실리콘 산화막을 $CHF_{3/}C_2F_6$ 혼합가스를 사용하여 반응성이온 건식식각을 행할 때 실리콘 표면에 형성되는 잔류막과 손상층을 X-선 광전자 분광기(XPS)와 이차이온 질량 분석기(SIMS)를 사용, 연구하였다. 실리콘, 탄소, 산소 및 불소의 angle-resolved XPS분석기술을 이용한 비파괴적 화학결합상태의 깊이분포 분석을 통하여 잔류막의 표면부에 O-F 결합이 존재하며 잔류막은 주로 탄소와 불소의 결합체인 C-F 플리머로 구성되어져 있고 Si-O, Si-C 및 Si-F 결합 등이 존재함을 알았다. 손상층은 실리콘 표면에서 약 60nm 깊이까지 탄소와 불소의 침투에 의해 형성되어져 있음을 알았다.
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$CHF_3/C_2F_6$ 반응성이온 건식식각에 의해 변형된 실리콘 표면의 열적 거동에 관한 연구
한국재료학회지
1992 .01
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CHF3 / C2F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향 ( The Effects of Photoresist Layer on the Characteristics of Si-Surface Residue Induced by CHF3 / C2F6 Reactive Ion Eching )
대한전자공학회 학술대회
1991 .07
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반응성 이온 건식식각에 의해 형성된 실리콘 표면 잔류막의 특성연구 ( Charaterization of Si-Surface Residues Caused by Reactive Ion Etching )
대한전자공학회 학술대회
1991 .07
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반응성 이온 건식식각에 의해 형성된 실리콘 표면 잔류막의 특성연구
대한전자공학회 학술대회
1991 .06
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전자공학회논문지-A
1993 .01
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A Study on Modified Silicon Surface after CHF3/C2F6 Reactive Ion Etching
[ETRI] ETRI Journal
1994 .02
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2011 .01
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1994 .01
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한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
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2010 .04
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2014 .11
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1998 .01
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1991 .06
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