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반응성 이온 건식식각에 의해 형성된 실리콘 표면 잔류막의 특성연구
대한전자공학회 학술대회
1991 .06
Characteristics of contaminated silicon surface due to CHF3/C2F6 reactive ion etching and Post etch treatments for removal of surface residue
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
CHF₃/ C₂F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향
대한전자공학회 학술대회
1991 .06
Al 합금의 반응성 이온 식각후 표면 특성 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1995 .11
$CHF_3/C_2F_6$ 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 변형에 관한 연구
한국재료학회지
1991 .01
CHF3 / C2F6 반응성 이온 건식 식각시 실리콘 표면 잔류막 특성 변화에 미치는 감광막 마스크의 영향 ( The Effects of Photoresist Layer on the Characteristics of Si-Surface Residue Induced by CHF3 / C2F6 Reactive Ion Eching )
대한전자공학회 학술대회
1991 .07
박형 웨이퍼에 적용가능한 건식 및 습식 식각에 대한 연구
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2018 .11
$CHF_3/C_2F_6$ 반응성이온 건식식각에 의해 변형된 실리콘 표면의 열적 거동에 관한 연구
한국재료학회지
1992 .01
Effect of $O_2$ or $NF_3$ plasma treatments on contaminated silicon surface due to $CHF_{3}/C_{2}F_{6}$ reactive ion etching
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
플라즈마 식각방법에 의한 단결정 실리콘의 Two-Step 식각특성 ( Two-Step Etching Characteristics of Single-Si by the Plasma Etching Technique )
전자공학회논문지
1987 .01
플라즈마 식각 방법에 의한 단결성 실리콘의 Two-Step 식각 특성 ( Two-Step Etching Characteristics of Single-si by the Plasma Etching Technique )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
반응성 이온 식각 장비에서 산소 플라즈마를 이용한 백금의 식각에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
반응성 이온 식각 장비에서 산소 플라즈마를 이용한 백금의 식각에 관한 연구 ( A Study on Pt Etch by Oxygen Plasma in Reactive Ion Etcher )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
강판 표면 고속 식각용 선형 이온 소스 개발
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2010 .11
RIE(Reactive Ion Etching) 처리된 다결정 웨이퍼의 DRE(Damage Removal Etching) 처리에 따른 패시베이션 특성 분석
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2019 .04
건식 식각기술의 동향분석
[ETRI] 전자통신동향분석
1989 .06
Cylindrical Magnetron을 사용한 실리콘의 반응성 이온 건식식각의 특성에 관한 연구
한국재료학회지
1993 .01
반응성 이온 식각(RIE) 공정 시에 발생하는 플라즈마 데미지 및 부산물 제거에 따른 다결정 실리콘 태양전지 효율 향상 연구
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2019 .10
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