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자료유형
학술저널
저자정보
손용훈 (홍익대학교 금속재료공학과) 박성계 (홍익대학교 금속재료공학과) 김상훈 (전자통신연구소) 남승의 (홍익대학교 금속재료공학과) 김형준 (홍익대학교 금속재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제12권 제5호
발행연도
2002.1
수록면
363 - 368 (6page)

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we proposed the use of $Si_2H_ 6/H_2$ chemistry for selective silicon epitaxy growth by low-pressure chemical vapor deposition(LPCVD) in the temperature range $600~710^{\circ}C$ under an ultraclean environment. As a result of ultraclean processing, an incubation period of Si deposition only on $SiO_2$ was found, and low temperature epitaxy selective deposition on Si was achieved without addition of HCI. Total gas flow rate and deposition pressure were 16.6sccm and 3.5mtorr, respectively. In this condition, we selectively obtained high-quality epitaxial Si layers of the 350~1050$\AA$ thickness. In older to extend the selectivity, we kept high pressure $H_2$ environment without $Si_2H_6$ gas for few minutes after first incubation period and then we conformed the existence of second incubation period.
#Selective silicon epitaxy growth #Incubation period

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