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이용수
1998
1997
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저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 Epitaxial Growth에 대한 In-situ Phosphorus Doping 효과
전기학회논문지
1998 .12
IN-SITU PHOSPHORUS HEAVY DOPING ON $Si_{1-x}Ge_x$ EPITAXIAL GROWTH WITH HIGH Ge FRACTION BY USING LPCVD
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
고농도 Ge fraction을 갖는 Si₁ₓ-Geₓ막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
고농도 Ge fraction을 갖는 Si1-xGex막의 Epitaxial Growth에 대한 In-Situ Phosphorus Doping 효과 ( In-situ Phosphorus Doping Effect on Epitaxial Growth of Si1-xGex Film with High Ge Fraction )
대한전자공학회 학술대회
1998 .07
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2 epitaxial growth에 대한 Phosphorus doping 효과
대한전기학회 학술대회 논문집
1997 .11
In-Situ Phosphorus Doping on Si1-xGex Epitaxial Growth in the SiH4-GeH4-PH3 Gas System by Using LPCVD
International Conference on Electronics, Informations and Communications
1998 .01
UltraCLEAN 공정의 운전 조건이 질소 및 인의 제거 효율에 미치는 영향 평가
대한토목학회 학술대회
2004 .10
실험과 모델링을 이용한 UltraCLEAN 공정의 해석
대한환경공학회 학술발표논문집
2004 .12
Optimization of Selective Epitaxial Growth of Silicon in LPCVD
[ETRI] ETRI Journal
2003 .12
축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
LPCVD-Si3N4 박막의 열 산화 ( Thermal Oxidation of Thin LPCVD-Si3N4 Film )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
LPCVD System
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
Si₂B₆를 이용한 LPCVD실리콘 박막의 결정 성장 및 구조적 성질에 관한 연구
전기학회논문지
1991 .07
플라즈마를 이용한 Si 기판위에 Ge 결정성장 ( Plasma-assisted epitaxial growth of Ge layer on Si ( 100 ) in H2 Plasma )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
MBE에 의한 Ge epitaxial layer 성장
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
Si1-xGex/Si에피택셜층의 건식산화동안 Ge 재분포
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
$Si_{2}H-{6}$ 과 $GeH_4$가스를 이용한 LPCVD $a-Si_{1-x}Ge_{x}$ 박막증착과 고상결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
승온중 수소 분위기 제어에 의한 선택적 Si 에피텍시 성장
한국재료학회지
2002 .01
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