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Solid source Si MBE를 이용하여 Si(100) 기판위에 저온에서 성장된 SiGe 박막의 결정 구조 변화에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
분자선에피텍시를 이용하여 성장한 $Si_{1-x}Ge_{x}$/Si 이종접합구조에서의 In Situ-Doped Boron 의 확산 거동에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
Potential-Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 이용한 Si Gex박막성장기술의 연구
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
Si/SiGe을 이용한 새로운 단전자 트랜지스터
대한전자공학회 학술대회
1997 .06
SiGe/Si 다층박막의 광발광과 광전류
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
Study on the Growth of SiGe film on Si Substrate using Solid Phase epitaxy
Fabrication and Characterization of Advanced Materials
1995 .01
SiGe/Si 다층박막의 광발광과 광전류
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
Si-Ge-H-Cl 계를 이용한 자기정렬 HBT용 Si 및 SiGe의 선택적 에피성장
전기전자재료학회논문지
2003 .01
Si/SiGe계 가변형 광스위치의 최적화 구조 설계
한국통신학회 기타 간행물
2002 .10
Si / SiGe / Si 이종 접합 바이폴라 소자에서 기생 전위가 베이스 전류에 미치는 영향의 해석적 모델링 ( Analytical Modeling for the Effect of Parasitic Potential Barrier on the Base Current of Si / SiGe / Si DHBTs )
전자공학회논문지-A
1994 .04
Selective Etching of SiGe on SiGe/Si Heterostructures
KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING
1990 .01
고농도의 Ge 함량을 가진 Biaxially Strained SiGe/Si Channel Structure의 정공 이동도 특성
전기전자재료학회논문지
2008 .01
Si ( 110 ) 에서 기른 Si / SiGe 양자우물의 부밴드간 천이에 의한 IR Photon 흡수계수의 모델링 ( Modeling of IR Photon Absorption Coefficient for Intersubband Transitions in a Si / SiGe Quantum Well Grown on Si ( 110 ) )
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1997 .01
Si ( 110 ) 에서 기른 Si / SiGe 양자우물의 부밴드간 천이에 의한 IR Photon 흡수계수의 모델링 ( Modeling of IR Photon Absorption Coefficient for Intersubband Transitions in a Si / SiGe Quantum Well Grown on Si ( 110 ) )
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석
대한전자공학회 학술대회
1992 .06
Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1992 .07
S / SiGe을 이용한 새로운 단전자 트랜지스터 ( A Novel Single Electron Transistor Using Si / SiGe )
대한전자공학회 학술대회
1997 .07
선형열처리를 이용한 Si(100)/Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2000 .11
고상 에피택시에 의한 초박막 $CoSi_2$ 형성과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장
한국재료학회지
1998 .01
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