Cu oxide의 형성과 H(hfac) 반응을 이용한 Cu 박막의 건식식각

양희정; 홍성진; 조범석; 이원희; 이재갑

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자료유형: 학술저널

저자정보: 양희정 (국민대학교 금속재료공학부) 홍성진 (국민대학교 금속재료공학부) 조범석 (국민대학교 금속재료공학부) 이원희 (국민대학교 금속재료공학부) 이재갑 (국민대학교 금속재료공학부)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제6호

발행연도: 2001.1

수록면: 527 - 532 (6page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (2)

2001

Cu oxide의 형성과 H(hfac) 반응을 이용한 Cu 박막의 건식식각

양희정 , 홍성진 , 조범석 외 2명 한국재료학회지 2001.01 학술저널

1999

Cu 산화 공정과 H(hfac)을 이용한 Cu 박막의 건식 식각

양희정 , 조범석 , 이재갑 한국재료학회 학술발표대회 1999.01 학술대회자료

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O$_2$plasma와 H(hfac)을 이용한 Cu 박막의 건식 식각을 조사하였다. 휘발성이 큰 Cu(hfac)$_2$와 $H_2O$를 탈착시키기 위하여 $O_2$ Plasma를 이용한 Cu 박막의 산화와 생성된 Cu 산화막을 H(hfac)과의 반응으로 제거하는 공정으로 식각을 수행하였다. Cu 박막의 식각율은 50-700 /min의 범위를 보였으며, 기판온도, H(hfac)/O$_2$ 유량비, plasma power에 따라 변하였다. Cu 박막의 식각율은 기판온도 215$^{\circ}C$보다 높은 온도구간에서 RF power가 증가함에 따라 증가하였고, 산화 공정과 H (hfac)과의 반응이 균형을 이루는 최적의 H (hfac)/O$_2$ 유량비는 1:1임을 확인하였다. Ti mask를 사용한 Cu Patterning은 유량비 1 : 1, 기판온도 25$0^{\circ}C$에서 실시하였고, 30$^{\circ}$외 taper slope를 갖는 등방성 etching profile을 얻을 수 있었다. Taper angle을 갖는 Cu 건식 patterning은 고해상도의 대면적 thin film transistor liquid-crystal(TFT-LCDs)를 위래 필요한 것으로써 기판온도, RF power, 유량비를 조절한 one-step 공정으로부터 성공적으로 얻을 수 있었다.

#Copper #Metallization #TFT- LCD #Etching #Patterning

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