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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김종국 (기초과학연구소) 김상수 (창원대학교 물리학과) 최은경 (창원대학교 물리학과) 김진흥 (기초과학연구소, 화공시스템공학과) 송태권 (기초과학연구소, 세라믹공학과) 김인성 (한국기계연구원 전기재료부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제11호
발행연도
2001.1
수록면
960 - 964 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2001

졸-겔법으로 성장시킨 바나듐이 도핑된 ${Bi_4}{Ti_3}{O_{12}}$ 박막의 미세구조 및 전기적 특성
김종국 ,  김상수 ,  최은경 외 3명 한국재료학회지 2001.01 학술저널
졸-겔법에 의한 주개 이온이 도핑된 $Bi_4Ti_3O_{12}$ 박막의 제조 및 특성
김종국 ,  김상수 ,  최은경 외 3명 한국재료학회 학술발표대회 2001.01 학술대회자료

초록· 키워드

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$Bi_{3.99}Ti_{2.97}V_{0.03}O_{12}$ (BTV) thin films with 3 mol% vanadium doping were Prepared on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate by sol-gel method. X-ray diffraction analysis indicated that single-phase layered perovskite were obtained and preferred orientation was not observed. Under the annealing temperature at $600^{\circ}C$, the surface morphology of the BTV thin films had fine-rounded particles and then changed plate-like at $650^{\circ}C$ and $700^{\circ}C$. The remanent polarization $(2P_r)$ and coercive field $(2E_c)$ of $700^{\circ}C$ annealed BTV thin film were 25 $\mu$C/cm$^2$ and 116 kV/cm, respectively. In addition, BTV thin film showed little polarization fatigue during $10_9$ switching cycles. These improved ferroelectric properties were attributed to the increased rattling space and reduced oxygen vacancies by substitution $Ti^{4+}$ ion (68 pm) with smaller $V^{5+}$ ion (59 pm). The dielectric constant and loss were measured 130 and 0.03 at 10 kHz, respectively.
#thin films #vanadium doping #sol-gel #fatigue

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