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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 852 - 858 (7page)
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An alkoxide-based sol-gel method was used to fabricate Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films doped by Bi from 5 to 20 mol% on a Pt/Ti/SiO2/Si substrate. The structural and dielectric properties of BST thin films were investigated as a function of Bi dopant concentration. The dielectric properties of the Bi doped BST films were strongly dependent on the Bi contents. The dielectric constant and dielectric loss of the films decreased with increasing Bi content. However, the leakage current density of the 10 mol% Bi doped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin film showed the lowest value of 5.13 × 10-7 A/cm2 at 5 V. The figure of merit (FOM) reached a maximum value of 32.42 at a 10 mol% Bi doped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films. The dielectric constant, loss factor, and tunability of the 10 mol% Bi doped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films were 333, 0.0095, and 31.1%, respectively.
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/ 1989. / Ferroelectric memories 246 : 1400 ~
/ 1989. / Ka-band MMIC beam steered transmiter array 37 : 2165 ~
/ 1996. / High-permittivity perovskite thin films for dynamic ran- dom-access memories 21 : 46 ~
/ 1996. / The effect of annealing on the structure and dielectric properties of BaxSr1 xTiO3 ferroelectric 69 : 25 ~
/ 1996. / ULSI DRAM의 Capacitor 절연막용 BST(Barium Strontium Titanate) 박막의 제작과 특성에 관한 연구 9 (4) : 336 ~
/ 1989. / Ka-band MMIC beam steered transmiter array 37 : 2165 ~
/ 1996. / High-permittivity perovskite thin films for dynamic ran- dom-access memories 21 : 46 ~
/ 1996. / The effect of annealing on the structure and dielectric properties of BaxSr1 xTiO3 ferroelectric 69 : 25 ~
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