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학술저널
저자정보
박익현 (인하대학교 화학공학과 청정기반기술연구소) 이장우 (인하대학교 화학공학과 청정기반기술연구소) 정지원 (인하대학교 화학공학과 청정기반기술연구소)
저널정보
한국공업화학회 공업화학 공업화학 제16권 제6호
발행연도
2005.1
수록면
853 - 856 (4page)

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자성 메모리반도체의 핵심 소자인 magnetic tunnel junction (MTJ) stack에 대한 고밀도 유도결합 플라즈마 반응성 식각이 연구되었다. MTJ stack은 electron(e)-beam lithography 공정을 사용하여 나노미터 크기의 패턴 형성이 되었으며 식각을 위한 하드 마스크(hard mask)로서 TiN 박막이 이용되었다. TiN 박막은 Ar, $Cl_2/Ar$, 그리고 $SF_6/Ar$들의 가스를 사용하여 식각공정이 연구되었다. E-beam lithography로 패턴된 TiN/MTJ stack은 첫 번째 단계로 TiN 하드 마스크가 식각되고 두 번째로 MTJ stack이 식각되어 완성되었다. MTJ stack은 Ar, $Cl_2/Ar$, $BCl_3/Ar$을 이용하여 식각되었으며 각각의 가스농도와 가스 압력을 변화시켜 MTJ stack의 식각특성이 조사되었다.
#MRAM #MTJ #ICP RIE #E-beam lithography

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