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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 497 - 501 (5page)
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The crystal structure of the GaN film on the AlN buffer layer grown by R. F. sputtering with different thickness has been studied using X-ray scattering and transmission electron microscopy(TEM). The interface roughness between the AlN buffer layer and the epitaxial GaN film, due to crossover from planar to island grains, produced edge dislocations. The strain, coming from lattice mismatch between the AlN buffer layer and the epitaxial GaN film, produced screw dislocations. The density of the edge and screw dislocation propagating from the interface between the GaN film and the AlN buffer layer affected the electric resistance of GaN film.
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/ 1989. / GaN: Processing, defects, and devices 86 (1) : 1 ~
/ 1990. / Stimulated emission near ultraviolet at room temperature from a gan film grown on sapphire by movpe using an aln buffer layer 29 : 205 ~
/ 1991. / High-Power GaN P-N Junction Blue- Light-Emitting Diodes 30 : 1998 ~
/ 1996. / Role of threading dislocation structure on the x-ray diffraction peak widths in epitaxial GaN films 68 (5) : 643 ~
/ 1998. / The roles of structural imperfections in ingan-based blue light- emitting diodes and laser diodes 281 : 956 ~
/ 1990. / Stimulated emission near ultraviolet at room temperature from a gan film grown on sapphire by movpe using an aln buffer layer 29 : 205 ~
/ 1991. / High-Power GaN P-N Junction Blue- Light-Emitting Diodes 30 : 1998 ~
/ 1996. / Role of threading dislocation structure on the x-ray diffraction peak widths in epitaxial GaN films 68 (5) : 643 ~
/ 1998. / The roles of structural imperfections in ingan-based blue light- emitting diodes and laser diodes 281 : 956 ~
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