Immunity Improvement of Mo Silicidized a-Si FEA to Vacuum Environments

Shim, Byung-Chang; Lee, Jong-Duk; Park, Byung-Gook

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Shim, Byung-Chang (Inter-University Semiconductor Research Center[ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Lee, Jong-Duk (Inter-University Semiconductor Research Center[ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Park, Byung-Gook (Inter-University Semiconductor Research Center[ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 학술대회 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집

발행연도: 2000.1

수록면: 141 - 142 (2page)

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In order to improve electron field emission and its stability, tip surface of amorphous silicon field emitters have been coated with molybdenum layer with a thickness of 25 nm through the gate opening and annealed rapidly in inert ambient. Compared with amorphous silicon field emitters, Mo silicidized amorphous silicon field emitters exhibited lower turn on voltage about 9 V, 3.8 times higher maximum current, 3.1 times lower fluctuation range and less change of the emission current depending on the vacuum level.

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Shim, Byung-Chang

소속기관 Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul Na

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Lee, Jong-Duk

소속기관 Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering and Compu

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