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자료유형
학술저널
저자정보
Lee, Myoung-Bok (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Lee, Jae-Hoon (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Kwon, Ki-Rock (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Lee, Hyung-Ju (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Hahm, Sung-Ho (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Lee, Jong-Hyun (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Lee, Jung-Hee (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Choi, Kyu-Man (Research Institute of electronic and Telecommunication Technologies, Kwandong University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 Journal of information display Journal of information display 제2권 제3호
발행연도
2001.1
수록면
60 - 65 (6page)

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Lateral type poly-silicon field emitters were fabricated by utilizing the LOCOS (Local Oxidation of Silicon) process. For the implementation 'of an ideal field emission device with quasi-zero tunneling barrier, a new and fundamental approach has used conducted by introducing an intelligent carbon-based thin layer on the cathode tip surface via a field-assisted self-aligning of carbon (FASAC) process. Fundamental lowering of the turn-on field for the electron emission was feasible through the control of both the tip shape and surface barrier height.
#FED #lateral field emitters #poly-Si #C-based surface layer #surface workfunction

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