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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
서영수 (명지대학교 전기공학과) 백동현 (경원전문대학 소방안전관리과) 조문택 (대원전문대학 전기과)
저널정보
한국화재소방학회 한국화재소방학회지 한국화재소방학회지 제10권 제2호
발행연도
1996.1
수록면
28 - 39 (12page)

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A recently developed electro-thermal simulation methodology is used to analyze the behavior of a PWM(Pulse-Width-Modulated) voltage source inverter which uses IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) as the switching devices. In the electro-thermal network simulation methdology, the simulator solves for the temperature distribution within the power semiconductor devices(IGBT electro-thermal model), control logic circuitry, the IGBT gate drivers, the thermal network component models for the power silicon chips, package, and heat sinks as well as the current and voltage within the electrical network. The thermal network describes the flow of heat form the chip surface through the package and heat sink and thus determines the evolution of the chip surface temperature used by the power semiconductor device models. The thermal component model for the device silicon chip, packages, and heat sink are developed by discretizing the nonlinear heat diffusion equation and are represented in component from so that the thermal component models for various package and heat sink can be readily connected to on another to form the thermal network.

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