실리콘 식각 공정시 발생하는 격자결함 관찰 및 제거동향 연구

원대희; 이주훈; 김지형; 염근영; 이주욱; 이정용

추천

검색

자료유형: 학술저널

저자정보: 원대희 (성균관대학교 재료공학과) 이주훈 (성균관대학교 재료공학과) 김지형 (성균관대학교 재료공학과) 염근영 (성균관대학교 재료공학과) 이주욱 (한국과학기술원 전자재료공학과) 이정용 (한국과학기술원 전자재료공학과)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제6권 제5호

발행연도: 1996.1

수록면: 524 - 531 (8page)

이용수

📌

연구주제

📖

연구배경

🔬

연구방법

🏆

연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (2)

1996

실리콘 식각 공정시 발생하는 격자결함 관찰 및 제거동향 연구

원대희 , 이주훈 , 김지형 외 3명 한국재료학회지 1996.01 학술저널

1995

Trench Isolation 공정시 발생하는 격자결함 관찰 및 제거 기술 연구

원대희 , 김지형 , 조영아 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 1995.06 학술대회자료

이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
이 논문의 연구 히스토리 확인하기

초록· 키워드

오류제보하기

차세대 소자고립구조로서 연구되고 있는 trench isolation 공정 등에는 실리콘 식각이 요구되며 실리콘 식각 공정중에는 반응성 이온에 의해 격자결함이 발생할 수 있다. 이와같이 생성된 결함은 소자의 전기적 성질을 열화시키므로 열처리를 통하여 제거하여야만 한다. 따라서 본 연구에서는 Ar,Ar/H2 플라즈마로 격자결함을 인위적으로 발생시켜 20$0^{\circ}C$-110$0^{\circ}C$ 질소분위기에서 30분간 열처리에 따른 생성된 격자결함의 소거거동을 관찰하였다. 실리콘 표면에 Schottky 다이오드를 제작하여 I-V, C-V 특성을 측정하므로써 잔류하는 전기적인 손상의 정도를 평가하였다. Ar으로 식각한 경우에는 110$0^{\circ}C$ 30분간 열처리한 결과 모든 격자결함이 제거되나 Ar/H2로 식각한 경우에는 격자결함이 완전히 제거되지 않고 (111)적층결함이 남아있었다.

참고문헌 (0)

참고문헌 신청

참고문헌이 DBpia에서 서비스 중이라면, [참고문헌 신청]을 통해 등록해보세요

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!