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대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 대한전기학회 제37회 하계학술대회 논문집 C
발행연도
2006.7
수록면
1,382 - 1,383 (2page)

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ZnO 박막은 wide band gap(Eg=3.37eV)의 derect band gap을 갖고 있기 때문에 여러 소자로의 응용가능성에 큰 기대를 하고 있는 물질이다. 본 논문에서는 소자 제조과정에서 요구되는 ZnO 박막의 식각변수에 따른 식각율과 식각특성에 관하여 연구하였으며 Inductively coupled plasma(ICP)를 사용하여 BCl₃/Ar 가스를 혼합하여 식각을 하였다. BCl₃/Ar=8/2 플라즈마에서 화학적 식각의 도움을 받아 ZnO 박막의 식각률은 1724λ/min로 최고를 보였으며 이때의 공정 조건은 800W의 RF power, 400 W 의 bias power, 1 Pa 의 공정 압력이 ... 전체 초록 보기

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