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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제3호
- 발행연도
- 1995.1
- 수록면
- 1,043 - 1,049 (7page)
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One of the most crucial problems in defining contact holes in the BPSG film is that the photoresist around the contact hole is partially removed by the HF solution's attacking the BPSG film under the photoresist along the photoresist-BPSG interface. In this study effects of plasma treatments on inhibiting the erosion of the BPSG film by the attack of the HF solution were investigated. The plasma treatment was found to be effective for TEOS-BPSG but ineffective for $SiH_4-BPSG$. The relative effects of various plasma treatments are as follows : $N_2O$ plasma > $O_2$ plasma> $N_2$ plasma > $NH_3$ plasma. From the resutls of the electron spectrometry by chemical analysis (ESCA) and the secondary ion mass spectrometry (SIMS) analysis we can draw the following two conclusions : 1) Si-OH bonds are changed into Si-O bonds in the BPSG film by the $N_2O$ or $O_2$ plasma treatment, while Si-OH bonds are changed into Si-N bonds by the $NH_3$ or $N_2$ plasma treatment. 2) The formaton of the Si-O or Si-N bonds in the BPSG film increases the hardness and the integrity of the BPSG film and therby enhances the resistance against the attack of the HF solution.
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