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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국재료학회 Fabrication and Characterization of Advanced Materials Fabrication and Characterization of Advanced Materials 제2권 제2호
- 발행연도
- 1995.1
- 수록면
- 825 - 830 (6page)
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The electrical resistivity, deposition rate and surface morphology of Al films deposited by MOCVD have been studied on the Si, $SiO_2$, and TiN(500$\AA$)/So sibstrates. Al films were deposited with the pyrolysis of dimethylethylamine alane(DMEAA). The growth rate of DMEAA was controlled in various ranges. The deposition activation energy($E_a$) fo DMEAA wasl 0.14 eV on TiN and 0.32 eV on $SiO_2$. The texture of Al films changed form"(200) to (111) as the deposition rate decreased. The contact hole of Al film deposited on $0.45{\times}0.45${\mu}m^2$ contact with the aspect ratio of 1.2 was fully filled. The Al film deposited by DMEAA ahd about 0.3 at.% carbon concentration by AES analysis. The resistivity of Al films was strongly ingluenced by surface morphology. The resistivity of Al films was 3-7${\mu}{\Omega}cm$/TEX>
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