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LPCVD-Si3N4 박막의 열 산화 ( Thermal Oxidation of Thin LPCVD-Si3N4 Film )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
$SiO_2$ 위에 LP-CVD로 증착한 비정질 $Si/Si_{0.69}Ge_{0.31}, Si_{0.69}Ge_{0.31}Si$ 및 Si의 결정화 거동
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
Si₂B₆를 이용한 LPCVD실리콘 박막의 결정 성장 및 구조적 성질에 관한 연구
전기학회논문지
1991 .07
증착속도에 따른 LPCVD 비정질실리콘 박막의 고상결정화거동
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
마이크로파를 이용한 LPCVD a-Si의 저온 결정화 및 TFT에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
LPCVD 시스템에 의한 박막 증착 연구 ( A Study on the Deposition of Thin Films by LPCVD System )
특정연구 결과 발표회 논문집
1988 .01
LPCVD 시스템에 의한 박막 증착 연구 ( A Study on the Deposition of Thin Films by LPCVD System )
한국통신학회 학술대회논문집
1988 .01
축적된 Ge층이 Si₁-ₓGeₓ/Si의 산화막 성장에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
저압 CVD에 의한 Si0.8 Ge0.2 막의 Epitaxial Growth ( Epitaxial Growth of Si0.8 Ge0.2 Layer by LPCVD )
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
저압 CVD에 의한 Si0.8Ge0.2막의 Epitaxial Growth
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
Si₁ₓ-Geₓ/Si 구조에서의 Hall 이동도
대한전자공학회 학술대회
1998 .06
Study on removing the defects in LPCVD poly-Si films by two-stage deposition method
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
1995 .08
IN-SITU PHOSPHORUS HEAVY DOPING ON $Si_{1-x}Ge_x$ EPITAXIAL GROWTH WITH HIGH Ge FRACTION BY USING LPCVD
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
In-Situ Phosphorus Doping on Si1-xGex Epitaxial Growth in the SiH4-GeH4-PH3 Gas System by Using LPCVD
International Conference on Electronics, Informations and Communications
1998 .01
PAE에 의한 GaAs / Ge / Si구조를 의한 Si기판위의 Ge 결정성장 ( Ge crystal growth on Si substrate for GaAs / Ge / Si structure by Plasma Assisted Epitaxy )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
EFFECT OF DEPOSITION CONDITIONS AT THE HETEROGENEOUS NUCLEATION SITES ON THE CRYSTALLIZATION BEHAVIOR OF LPCVD a-Si FILMS ON $SiO_2$
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
세 가지 다른 구조로 제작된 LPCVD Si₃N₄ 센서 소자의 pH 감지특성의 비교분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2004 .07
LPCVD법으로 증착된 다층비정질 실리콘박막의 고상결정화
한국재료학회 학술발표대회
1995 .01
Strained Si를 만들기 위한 SiGe layer 형성에 temperature, $GeH_4$ gas pre-flow, gas ratio가 미치는 영향
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
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