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자료유형
학술대회자료
저자정보
Jeong, Jae-Kyeong (Dept. of Materials Science and Engineering, Inha University) Park, Jin-Seong (Technology Center, Samsung Mobile Display) Mo, Yeon-Gon (Technology Center, Samsung Mobile Display) Kim, Hye-Dong (Technology Center, Samsung Mobile Display)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
발행연도
2009.1
수록면
1,047 - 1,050 (4page)

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The two approaches to improve the stability of oxide TFTs are described. First approach is the optimization of device architecture including MIS structure and passivation layer using conventional InGaZnO semiconductor channel layer. Second approach is to develop the new kinds of oxide semiconductor materials, which is very robust and stable against the gate bias stress and thermal stress.
#oxide semiconductor #TFT #stability

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