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학술대회자료
저자정보
Lee, Liu-Chung (AUO Technology Center, AU Opronics) Liang, Chung-Yu (AUO Technology Center, AU Opronics) Pan, Hsin-Hua (AUO Technology Center, AU Opronics) Huang, G.Y. (AUO Technology Center, AU Opronics) Gan, Feng-Yuan (AUO Technology Center, AU Opronics)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
발행연도
2006.1
수록면
695 - 698 (4page)

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The photosensitive poly-siloxane material used as the passivation layers for the conventional back channel etched (BCE) thin film transistors (TFTs) has been investigated. Through the organic material, the TFT array fabrication process can be reduced and higher aperture ratio can be achieved for higher LCD panel performance. The interface between the organic passivation layer and the back channel of the amorphous active region has been improved by the back channel oxygen treatment and the devices exhibits lower leakage current than the conventional silicon nitride passivation layer of BCE TFTs. The leakage currents between Indium-tin-oxide (ITO) pixels and the TFT devices and its mechanism have also been investigated in this paper.

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