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자료유형
학술대회자료
저자정보
Han, Sang-Myeon (School of Electrical Engineering, Seoul National University) Shin, Moon-Young (School of Electrical Engineering, Seoul National University) Park, Hyun-Joong (School of Electrical Engineering, Seoul National University) Lee, Hye-Jin (School of Electrical Engineering, Seoul National University) Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering, Seoul National University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
발행연도
2004.1
수록면
1,003 - 1,006 (4page)

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We have fabricated poly-Si TFTs at 170$^{\circ}C$ using inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICP-CVD) and excimer laser annealing (ELA). A Poly-Si film with large grains exceeding 5000${\AA}$ and a $SiO_2$ film with high breakdown field are deposited by ICP-CVD. A high mobility exceeding 100$cm^2$/Vs with a low sub-threshold swing of 0.76V/dec was obtained.

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