The thermal annealing effect on electrical performances of a-Si:H TFT fabricated on a metal foil substrate

Han, Chang-Wook; Nam, Woo-Jin; Kim, Chang-Dong; Kim, Ki-Yong; Kang, In-Byeong; Chung, In-Jae; Han, Min-Koo

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: Han, Chang-Wook (LG.PHILIPS LCD R&D Center Anyang, School of Electrical Engineering, Seoul National University) Nam, Woo-Jin (LG.PHILIPS LCD R&D Center Anyang) Kim, Chang-Dong (LG.PHILIPS LCD R&D Center Anyang) Kim, Ki-Yong (LG.PHILIPS LCD R&D Center Anyang) Kang, In-Byeong (LG.PHILIPS LCD R&D Center Anyang) Chung, In-Jae (LG.PHILIPS LCD R&D Center Anyang) Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering, Seoul National University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호

발행연도: 2007.1

수록면: 745 - 748 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2007

The thermal annealing effect on electrical performances of a-Si:H TFT fabricated on a metal foil substrate

Han , Chang-Wook , Nam 외 11명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2007.01 학술대회자료

A substrate bias effect on the stability of a-Si:H TFT fabricated on a flexible metal substrate

Han , Chang-Wook , Nam 외 11명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2007.01 학술대회자료

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Hydrogenated amorphous silicon thin film transistors (a-Si:H TFTs) were fabricated on a flexible metal substrate at $150\;^{\circ}C$. To increase the stability of the flexible a-Si:H TFTs, they were thermally annealed at $230\;^{\circ}C$. The field effect mobility was reduced because of the strain in a- Si:H TFT under thermal annealing.

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