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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
Kang, Dong-Kyun (Department of Materials and Engineering, Korea University) Park, Won-Tae (Department of Materials and Engineering, Korea University) Kim, Byong-Ho (Department of Materials and Engineering, Korea University)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
발행연도
2006.1
수록면
166 - 169 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2006

Fabrication and Characterization of Ferroelectric $(Bi,Sm)_4Ti_3O_{12}$ Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition
Kang ,  Dong-Kyun 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2006.01 학술대회자료
Ferroelectric and Structural Properties of Nd-substituted $Bi_4Ti_3O_{12}$ Thin Films Fabricated by MOCVD
Kang ,  Dong-Kyun ,  Pa 외 4명 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2006.01 학술대회자료
Design and ferroelectric properties of randomly oriented polycrystalline Eu-substituted $Bi_4Ti_3O_{12}$ thin films
Kang ,  Dong-Kyun ,  Pa 외 4명 한국재료학회 학술발표대회 2006.01 학술대회자료

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A promising capacitor, which has conformable step coverage and good uniformity of thickness and composition, is needed to manufacture high-density non-volatile FeRAM capacitors with a stacked cell structure. In this study, ferroelectric $Bi_{3.61}Nd_{0.39}Ti_3O_{12}$ (BNT) thin films were prepared on $Pt(111)/Ti/SiO_2/Si$ substrates by the liquid delivery system MOCVD method. In these experiments, $Bi(ph)_3$, $Nd(TMHD)_3$ and $Ti(O^iPr)_2(TMHD)_2$ were used as the precursors and were dissolved in n-butyl acetate. The BNT thin films were deposited at a substrate temperature and reactor pressure of approximately $600^{\circ}C$ and 4.8 Torr, respectively. The microstructure of the layered perovskite phase was observed by XRD and SEM. The remanent polarization value (2Pr) of the BNT thin film was $31.67\;{\mu}C/cm^2$ at an applied voltage of 5 V.

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