비휘발성 메모리 소자응용을 위한 Eu 첨가량에 따른 BET 박막의 강유전 특성

김경태; 김종규; 우종창; 김관하; 김창일

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김경태 김종규 우종창 김관하 김창일

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제3호

발행연도: 2007.1

수록면: 223 - 227 (5page)

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The effect of Eu contents on the ferroelectric properties of Bi4-xEuxTi3O12 (BET) thin films has been investigated. Bismuth Europium titanate thin films with a Eu contents were prepared on the Pt/Ti/SiO2/Si substrate by metal-organic decomposition technique. The structure and the morphology of the films were analyzed using X-ray diffraction (XRD) and field emission scanning microscopy (FE-SEM), respectively. From the XRD analysis, it was found that BET thin films have polycrystalline structure, and the layered-perovskite phase is obtained when the Eu contents exceeds 0.2 (x > 0.2). Also, the ferroelectric characteristics of the BET thin films were found to be dependent on the Eu content. Particularly, the BET films doped with x = 0.75 show better ferroelectric properties (remanent polarization 2Pr = 60.99 C/cm2 and only a little polarization fatigue up to 3.5×109 bipolar switching cycling) than those doped with other Eu contents.

#BET #FRAM #Thin film #Ferroelectric #MOD

참고문헌 (12)

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B. H. Park / 1998 / Imprint failures and asymmetric electrical properties induced by thermal processes in epitaxial Bi4Ti3O12 thin films / J. Appl. Phys. 84 : 4428 ~

B. H. Park / 1999 / Lanthanu - substituted bismuth titanate for use in non-volatile memories / Nature 401 : 682 ~

D. Wu / 2001 / Ferroelectric properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 thin films prepared by chemical solution deposition / J. Appl. Phys. 88 : 5941 ~

F. Yan / 2002 / The grain size effect of Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 thin films / Thin Solid Films 406 : 282 ~

J. F. Scott / 1989 / Ferroelectric memories / Science 246 : 1400 ~

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