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저자정보
Lee, Jae-Hoon (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Lee, Hyung-Ju (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Lee, Myoung-Bok (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Hahm, Sung-Ho (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Lee, Jung-Hee (School of Electronic and Electrical Engineering, Kyungpook National University) Choi, Kue-Man (Reseach Institute of Electronic and Telecommunication Technologies, Kwandong University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2002.1
수록면
647 - 650 (4page)

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A lateral type GaN field emission diodes were fabricated by utilizing metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). In forming the pattern, two kinds of procedures were proposed: a selective etching method with electron cyclotron resonance-reactive ion etching (ECR-RIE) or a simple selective growth by utilizing $Si_3N_4$ film as masking layer. The fabricated device using the ECR-RIE exhibited electrical characteristics such as a turn-on voltage of 35 V for 7 ${\mu}m$ gap and an emission current of ${\sim}580$ nA/10tips at anode-to-cathode voltage of 100 V These new field emission characteristics of GaN tips are believed to be due to a low electron affinity as well as the shorter inter-electrode distance.

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