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저자정보
Ishihara, R. (DIMES-ECTM, Delft Univ. of Technol.) Dijk, B.D.van (DIMES-ECTM, Delft Univ. of Technol.) Wilt, P.Ch. van der (DIMES-ECTM, Delft Univ. of Technol.) Metselaar, J.W. (DIMES-ECTM, Delft Univ. of Technol.) Beenakker, C.I.M. (DIMES-ECTM, Delft Univ. of Technol.)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2002.1
수록면
159 - 162 (4page)

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This paper reviews an advanced excimer-laser crystallization technique enabling precise location-control of the individual grains. With the developed ${\mu}$-Czochralski (grain-filter) process, the large grains having a diameter of 6 ${\mu}m$ can be set precisely at predetermined positions. We will also discuss the performance of the single-crystalline Si TFTs that are formed within the location-controlled Si grains. The field-effect mobility for electrons is 430 $cm^2/Vs$ on average, which is well comparable to that of TFTs made with silicon-on-insulator wafers.

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