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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 254 - 257 (4page)
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The crystallization and activated annealing effect of Si films using an excimer laser and a new CW blue laser are described comparing with furnace annealing (SPC) for the application of advanced TFTs and future applications. Currently, pulsed ELA is used extensively as a LTPS process on glass substrates as the efficiency is high in UV region for thin Si film of 40- 60 nm thickness. ELA enables extremely low resistivity for both n- and p-typed Si films. On the other hand, CW BLDA enables the smooth Si surface having arbitral grains from micro-grains to anisotropic huge grain structure only controlling its power density.
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