Poly-Si TFT Technology

Noguchi, Takashi; Kim, D.Y.; Kwon, J.Y.; Park, Y.S.

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자료유형: 학술저널

저자정보: Noguchi, Takashi (Sungkyunkwan University[previous affiliation: IEF [CNRS], Univ. Paris-sud, France]) Kim, D.Y. (SAIT[Samsung Advanced Institute of Technology]) Kwon, J.Y. (SAIT[Samsung Advanced Institute of Technology]) Park, Y.S. (SAIT[Samsung Advanced Institute of Technology])

저널정보: 한국정보디스플레이학회 인포메이션 디스플레이 인포메이션 디스플레이 제5권 제1호

발행연도: 2004.1

수록면: 25 - 30 (6page)

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Poly-Si TFT(Thin Film Transistor) technology are reviewed and discussed. Poly-Si TFTs fabricated on glass using low-temperature process were studied extensively for the application to LCD (Liquid Crystal Display) as well as to OLED(Organic Light Emitting Diode) Display. Currently, one of the application targets of the poly-Si TFT is emphasized on the highly functional SOG(System on Glass). Improvement of device characteristics such as an enhancement of carrier mobility has been studied intensively by enlarging the grain size. Reduction of the voltage and shrinkage of the device size are the trend of AM FPD(Active Matrix Flat Panel Display) as well as of Si LSI, which will arise a peculiar issue of uniformity for the device performance. Some approaches such as nucleation control of the grain seed or lateral grain growth have been tried, so far.

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Noguchi, Takashi

소속기관 Sungkyunkwan University[previous affiliation: IEF [CNRS], Univ. Paris-sud, France]

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

논문수 14 이용수 2

Kim, D.Y.

소속기관 SAIT[Samsung Advanced Institute of Technology]

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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Kwon, J.Y.

소속기관 SAIT[Samsung Advanced Institute of Technology]

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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Park, Y.S.

소속기관 SAIT[Samsung Advanced Institute of Technology]

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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