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황성원 (전북대학교 기계공학과) 남정환 (전북대학교 기계공학과) 신귀수 (전북대학교 기계공학과) 김근주 (전북대학교 기계공학과) 서남섭 (전북대학교 기계공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 춘계학술대회 발표 논문집
발행연도
2003.1
수록면
18 - 22 (5page)

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The sapphire wafers for blue light emitting devices were manufactured by the implementation of the surface machining technology based on micro-tribology. This process has been performed by grinding, lapping and polishing. The surfaces of sapphire wafers were mechanically affected by residual stress and surface default. This mechanical stress and strain can be cured by thermal anneal ing process. The sapphire crystalline wafers were annealed at $1100~1400^{\circ}C$ and then characterized by double crystal X-ray diffraction. The sample showed good quality of crystalline wafer surface wi th full width at hal f maximum of 16 arcsec for the 4-hour heat-treatment at $1300^{\circ}C$.

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