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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.27 No.2
발행연도
2010.2
수록면
13 - 19 (7page)

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Due to the rapid spread of mobile handheld devices, industrial demands for micro-scale holes with a diameter of even smaller than 100㎛ in sapphire/silicon wafers have been increasing. Holes in sapphire wafers are for heat dissipation from LEDs; and those in silicon wafers for interlayer communication in three-dimensional integrated circuit (IC). We have developed a sapphire wafer driller equipped with a 532㎚ laser in which a cooling chuck is employed to minimize local heat accumulation in wafer. Through the optimization of process parameters (pulse energy, repetition rate, number of pulses), quality holes with a diameter of 30㎛ and a depth of 100㎛ can be drilled at a rate of 30holes/sec. We also have developed a silicon wafer driller equipped with a 355㎚ laser. It is able to drill quality through-holes of 15μm in diameter and 150㎛ in depth at a rate of 100holes/sec.

목차

1. 서론
2. 사파이어/실리콘 웨이퍼 드릴러 시스템
3. 사파이어 웨이퍼 드릴링
4. 실리콘 웨이퍼 드릴링
5. 결론
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