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이용수
Abstract
1.서론
2.CMP 연마 메카니즘
3.실험방법
4.결과 및 고찰
5.결론
후기
참고문헌
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Dislocation densities of CMP processed sapphire wafers for GaN epitaxy
한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회
2003 .01
사파이어 웨이퍼 기계 연마 가공 상태 감시 시스템 개발
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2010 .11
GaN 증착용 사파이어 웨이퍼의 표면가공에 따른 압흔 특성
대한기계학회 논문집 A권
2005 .04
LED용 사파이어 웨이퍼 코어링 장비의 가공특성에 관한 연구
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2013 .11
나노 다이아몬드 혼합 슬러리를 사용한 사파이어 웨이퍼의 연마특성 평가
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2014 .04
2인치 사파이어 웨이퍼의 자기연마공정 특성평가에 관한 연구
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2012 .04
LED 사파이어 기판 가공을 위한 MCP 설계 및 가공 조건 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2010 .05
실리콘 웨이퍼 연마헤드의 강제구동 방식이 웨이퍼 연마 평탄도에 미치는 영향 연구
반도체디스플레이기술학회지
2014 .01
Laser를 이용한 sapphire wafer의 scribing에 관한 연구
한국통신학회 기타 간행물
2002 .10
LED용 사파이어 웨이퍼 코어링 장비의 CAE 해석에 관한 연구
한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집
2012 .11
광반도체용 사파이어웨이퍼 기계연마특성 연구
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
2004 .02
나노초 펄스 레이저 응용 사파이어/실리콘 웨이퍼 미세 드릴링
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
2010 .02
통합 감시 시스템을 이용한 사파이어 웨이퍼 기계 연마 가공 상태 감시
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2011 .10
폴리우레탄 패드를 이용한 기계-화핟 연마공정에서 사파이어 웨이퍼 표면 전위
대한기계학회 춘추학술대회
2003 .11
다이아몬드 랩핑 공정에서 가압 위치 따른 사파이어 웨이퍼 표면 응력불균일도 해석
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2011 .06
마찰력 모니터링을 통한 사파이어 기판 재료제거특성에 관한 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2016 .05
A Study on the Characteristics of a Wafer-Polishing Process according to Machining Conditions
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
2009 .01
Wafer final polishing에 따른 표면 현상과 마멸도에 관한 연구
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2008 .05
최적조건 선정을 위한 Pad 특성과 Wafer Final Polishing의 가공표면에 관한 연구
한국기계가공학회지
2012 .02
Polished Wafer와 Epi-Layer Wafer의 표면 처리에 따른 표면 화학적/물리적 특성
한국재료학회지
2014 .01
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