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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제32권 제3호
발행연도
2019.1
수록면
229 - 233 (5page)

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Pt (111) / Ti / SiO2 / Si (100) 기판 상에 순수 BiFeO3 (BFO) 및 유로퓸을 동시 도핑한 Bi0.9Eu 0.1Fe0.975V0.025O3 + δ(BEFVO) 박막을 화학 물질 용액 증착법으로 형성하였다. X 선 회절, 라만 분광법 및 주사 전자 현미경을 사용하여 동시 도핑의 영향을 관찰하였다. 순수한 BFO 박막과 비교하여 BEFVO 박막의 전기적 특성이 향상됨을 확인했습니다. BEFVO 박막의 잔류 분극 (2Pr)은 1 kHz의 주파수에서 1190 kV/cm의 최대 전기장에서 약 26 μC/cm2을 보였고. 동시 도핑 된 BEFVO의 누설 전류 밀도는 100 kV/cm에서 순수한 BFO 박막의 누설 전류 밀도보다 100배 낮은 4.8 x 10-5 A/cm2 을 보였다.

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