폴리머 위에 엑시머 레이저 방법으로 결정화된 다결정 실리콘의 특성

김경보; 이종필; 김무진; 민영실

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김경보 이종필 김무진 민영실

저널정보: 중소기업융합학회 융합정보논문지 융합정보논문지 제9권 제3호

발행연도: 2019.1

수록면: 75 - 81 (7page)

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본 논문은 유기물로 이루어진 폴리머 기판상에 저온 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법에 대해 연구하였다. 먼저, 폴리머 기판에 화학증착방식으로 비결정 실리콘 박막을 증착하였고, 열처리 장치인 퍼니스로 탈수소 및 활성화 공정을 430도에서 2시간동안 진행하였다. 이후 엑시머 레이저를 이용하여 결정화를 진행하여 다결정 실리콘 반도체 막을 제조하였다. 이 박막은 박막트랜지스터 제작을 위한 활성층으로 사용하였다. 제작된 p형 박막트랜지스터는 이동도 77cm2/V·s, on/off 전류비는 107이상의 동작특성을 보였고, 이는 결정화된 박막내부에 결함 농도가 낮음을 의미한다. 이 결과로 유기물 기판상에 엑시머 레이저로 형성된 다결정 실리콘으로 제작된 전자소자는 플렉서블 AMOLED 디스플레이 회로 형성에 최적의 기술임을 알 수 있다.

#Polymer #Excimer Laser #Polycrystalline Silicon #Thin Film Transistor #AMOLED Display

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Guanghai Jin / 2011 / Simple Fabrication of a Three-Dimensional CMOS Inverter Using p-Type Poly-Si and n-Type Amorphous Ga–In–Zn–O Thin-Film Transistors / IEEE Electron Device Letters 32(9):1236~1238

Moojin Kim / 2010 / Effects of Excimer Laser Annealing Process on the Ni-Sputtered Amorphous Silicon Film / Electrochemical and Solid-State Letters 13(10):H346

Moojin Kim / 2008 / Effects of high pressure annealing on the characteristics of solid phase crystallization poly-Si thin-film transistors / Journal of Applied Physics 103(4):044508

M. J. Kim / 2009 / ITO/AlNdN/Al contact process for active matrix OLED displays / Electronics Letters 45(8):421~423

Kai Takeuchi / 2018 / Room temperature bonding and debonding of polyimide film and glass substrate based on surface activate bonding method / Japanese Journal of Applied Physics 57(2S1):02BB05

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이종필

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김무진

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민영실

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